Samsung ускоряет разработку 160-слойной памяти 3D NAND
Samsung ускоряет разработку 160-слойной памяти 3D NAND

На этой неделе китайская компания YMTC сообщила о разработке 128-слойной флэш-памяти 3D NAND рекордного объема. Китайцы пропустят этап производства 96-слойной памяти и в конце года сразу начнут выпускать 128-шаровую память. Тем самым они выйдут на уровень лидеров отрасли равноценно размахивание красной тряпкой перед глазами быка. И «быки» отреагировали как положено.

Южнокорейский сайт ETNews сообщил, что компания Samsung ускорила разработку 160-слойной 3D NAND (или V-NAND, как называют в компании многослойную флэш-память). В Samsung это называется стратегия «суперзазора» или игра на опережение, что должно помочь южнокорейским технологическим лидерам оставаться впереди конкурентов. Поскольку успешность Samsung лежит в основе южнокорейской экономики, это вопрос процветания всей нации, поэтому в компании серьезно относятся к своей работе.

Память со 100+ слоями Samsung представила в августе прошлого года. Можно считать, что компания уже третий квартал подряд выпускает условно 128-шаровую память (точное число слоев точно остается неизвестным). Следующей на сцене должна появиться память Samsung с 160 или даже с большим числом слоев. Она будет относиться к 7-го поколения памяти V-NAND. По слухам, компания добилась значительного прогресса в деле ее разработки. Есть мнение, что Samsung первой покорит рубеж в 160 слоев, как это произошло со всеми предыдущими поколениями памяти 3D NAND.